Nexperia PQMD13Z
Артикул: C547311
Part Number: PQMD13Z
Производитель: Nexperia
от 0.154200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.200700 ₽ |
| 50 шт. | 0.180700 ₽ |
| 150 шт. | 0.170700 ₽ |
| 500 шт. | 0.163200 ₽ |
| 2500 шт. | 0.157200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.154200 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN+PNP |
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V@5mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 100 100mA 350mW NPN+PNP 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT1216 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS