Nexperia PQMD10Z
Артикул: C547309
Part Number: PQMD10Z
Производитель: Nexperia
от 0.016900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.034200 ₽ |
| 10 шт. | 0.026800 ₽ |
| 30 шт. | 0.022700 ₽ |
| 100 шт. | 0.020200 ₽ |
| 500 шт. | 0.018100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.016900 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN+PNP |
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 100 100mA 350mW NPN+PNP 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT1216 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS