HXY MOSFET SI7804DN-T1-GE3-HXY
Артикул: C54582856
Part Number: SI7804DN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.571800 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.145200 ₽ |
| 10 шт. | 0.939900 ₽ |
| 30 шт. | 0.837300 ₽ |
| 100 шт. | 0.734700 ₽ |
| 500 шт. | 0.602800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.571800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 15mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 10nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 490pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 61pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 79pF |
Описание
30V 20A 1.5V 5.5W 15mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)