HXY MOSFET FQP18N20V2-HXY
Артикул: C54582847
Part Number: FQP18N20V2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.435000 ₽
В наличии: 14 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.871500 ₽ |
| 10 шт. | 0.715200 ₽ |
| 50 шт. | 0.637000 ₽ |
| 100 шт. | 0.505000 ₽ |
| 500 шт. | 0.459400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.435000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 120mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 25nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 180pF |
Описание
200V 18A 4V 125W 120mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)