HXY MOSFET IPD19DP10NMATMA1-HXY
Артикул: C54582843
Part Number: IPD19DP10NMATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.498900 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.928100 ₽ |
| 10 шт. | 0.753200 ₽ |
| 30 шт. | 0.665800 ₽ |
| 100 шт. | 0.578300 ₽ |
| 500 шт. | 0.526500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.498900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 15A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 47nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.448nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 54pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 69pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
34W 100V 15A 1.6V 140mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)