HXY MOSFET SQS160ELNW-T1_GE3-HXY
Артикул: C54582836
Part Number: SQS160ELNW-T1_GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.348600 ₽
В наличии: 38 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.698900 ₽ |
| 10 шт. | 0.573400 ₽ |
| 30 шт. | 0.511500 ₽ |
| 100 шт. | 0.448000 ₽ |
| 500 шт. | 0.368200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.348600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 73.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 35nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.18nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 42pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 735pF |
Описание
60V 100A 1.7V 73.5W 4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)