HXY MOSFET FDS6699S-HXY
Артикул: C54582825
Part Number: FDS6699S-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.154500 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.325800 ₽ |
| 50 шт. | 0.261000 ₽ |
| 150 шт. | 0.233200 ₽ |
| 500 шт. | 0.198500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.163700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.154500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.4W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 286pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 370pF |
Описание
30V 30A 1.5V 1.4W 3.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)