HXY MOSFET SI4688DY-T1-E3-HXY
Артикул: C54582817
Part Number: SI4688DY-T1-E3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.044400 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.084100 ₽ |
| 50 шт. | 0.067000 ₽ |
| 150 шт. | 0.058500 ₽ |
| 500 шт. | 0.052000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.046900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.044400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 580pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 94pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 110pF |
Описание
30V 10A 1.4V 2.2W 9mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)