HXY MOSFET BSO200N03S-HXY
Артикул: C54582811
Part Number: BSO200N03S-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.109400 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.230800 ₽ |
| 50 шт. | 0.184900 ₽ |
| 150 шт. | 0.165200 ₽ |
| 500 шт. | 0.140600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.116000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.109400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 484pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 52pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 68pF |
Описание
30V 9A 1.7V 3.1W 16mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)