HXY MOSFET SIS4406DN-T1-GE3-HXY
Артикул: C54582781
Part Number: SIS4406DN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.385500 ₽
В наличии: 47 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.716000 ₽ |
| 10 шт. | 0.581500 ₽ |
| 30 шт. | 0.513500 ₽ |
| 100 шт. | 0.447100 ₽ |
| 500 шт. | 0.406600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.385500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 25nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 152pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 233pF |
Описание
40V 70A 1.6V 52W 4.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)