HXY MOSFET IPD75N04S406ATMA1-HXY
Артикул: C54582772
Part Number: IPD75N04S406ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.369300 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.686800 ₽ |
| 10 шт. | 0.557200 ₽ |
| 30 шт. | 0.492400 ₽ |
| 100 шт. | 0.427700 ₽ |
| 500 шт. | 0.390400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.369300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 114W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 48nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.443nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 138pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 167pF |
Описание
40V 60A 1.9V 114W 5.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)