HXY MOSFET IPB80N06S407ATMA1-HXY
Артикул: C54582762
Part Number: IPB80N06S407ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.779900 ₽
В наличии: 12 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.480100 ₽ |
| 10 шт. | 1.246100 ₽ |
| 30 шт. | 1.117800 ₽ |
| 100 шт. | 0.971600 ₽ |
| 500 шт. | 0.809100 ₽ |
| 800 шт. | 0.779900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 90A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 75nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.008nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 200pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 242pF |
Описание
60V 90A 2.8V 83W 5.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)