HXY MOSFET 2SK4171-HXY
Артикул: C54582755
Part Number: 2SK4171-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.542200 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.965900 ₽ |
| 10 шт. | 0.792200 ₽ |
| 50 шт. | 0.706200 ₽ |
| 100 шт. | 0.620200 ₽ |
| 500 шт. | 0.568200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.542200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 80.85nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.629nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 228pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 280.25pF |
Описание
60V 80A 2.8V 120W 5.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)