HXY MOSFET IPD90N06S405ATMA2-HXY
Артикул: C54582740
Part Number: IPD90N06S405ATMA2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.735400 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.238600 ₽ |
| 10 шт. | 1.042200 ₽ |
| 30 шт. | 0.935100 ₽ |
| 100 шт. | 0.813300 ₽ |
| 500 шт. | 0.759800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.735400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 98nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.066nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 283pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 472pF |
Описание
60V 120A 3V 125W 4.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)