HXY MOSFET IPD053N06NATMA1-HXY
Артикул: C54582738
Part Number: IPD053N06NATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.592900 ₽
В наличии: 37 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.101500 ₽ |
| 10 шт. | 0.894100 ₽ |
| 30 шт. | 0.790500 ₽ |
| 100 шт. | 0.686800 ₽ |
| 500 шт. | 0.625300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.592900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 98nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.066nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 283pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 472pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
125W 60V 120A 3V 4.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)