HXY MOSFET RFD3055LESM9A-HXY
Артикул: C54582733
Part Number: RFD3055LESM9A-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.161900 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.341400 ₽ |
| 50 шт. | 0.273500 ₽ |
| 150 шт. | 0.244300 ₽ |
| 500 шт. | 0.208000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.171600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.161900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 16W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 88mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 349pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 22pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 28pF |
Описание
60V 8A 1.5V 16W 88mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)