HXY MOSFET IPP200N15N3GXKSA1-HXY
Артикул: C54582730
Part Number: IPP200N15N3GXKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.661100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.743100 ₽ |
| 200 шт. | 0.695000 ₽ |
| 500 шт. | 0.672400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.661100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 56W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.049nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 247pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
56W 150V 120A 3.4V 11mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)