HXY MOSFET HUF75617D3ST-HXY
Артикул: C54582710
Part Number: HUF75617D3ST-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.230100 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.448700 ₽ |
| 10 шт. | 0.354800 ₽ |
| 30 шт. | 0.315900 ₽ |
| 100 шт. | 0.265700 ₽ |
| 500 шт. | 0.243000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.230100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 80mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 26.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.535nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 37pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
34.7W 100V 20A 2.5V 80mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)