HXY MOSFET NTP5864NG-HXY
Артикул: C54582706
Part Number: NTP5864NG-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.361200 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.672200 ₽ |
| 10 шт. | 0.545900 ₽ |
| 50 шт. | 0.481100 ₽ |
| 100 шт. | 0.419600 ₽ |
| 500 шт. | 0.380700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.361200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 12mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 39nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.05nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 430pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
120W 60V 60A 4V 12mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)