HXY MOSFET SI4812BDY-T1-GE3-HXY
Артикул: C54582678
Part Number: SI4812BDY-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.165100 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.348200 ₽ |
| 50 шт. | 0.278900 ₽ |
| 150 шт. | 0.249200 ₽ |
| 500 шт. | 0.212100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.175000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.165100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 14mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 6nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 583pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 59pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 77pF |
Описание
30V 8.5A 1.5V 1.5W 14mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)