HXY MOSFET DMG4435SSS-13-HXY
Артикул: C54582675
Part Number: DMG4435SSS-13-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.486700 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.976600 ₽ |
| 10 шт. | 0.800800 ₽ |
| 30 шт. | 0.712900 ₽ |
| 100 шт. | 0.626700 ₽ |
| 500 шт. | 0.514400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.486700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.33nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 156pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 183pF |
Описание
30V 11A 1.6V 3.7W 13mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)