HXY MOSFET SI4427BDY-T1-GE3-HXY
Артикул: C54582669
Part Number: SI4427BDY-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.657500 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.108800 ₽ |
| 10 шт. | 0.933500 ₽ |
| 30 шт. | 0.837700 ₽ |
| 100 шт. | 0.728900 ₽ |
| 500 шт. | 0.680200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.657500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 15A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 25.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 35nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.36nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 360pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 400pF |
Описание
30V 15A 1.6V 25.6W 7.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)