HXY MOSFET SI4425BDY-T1-GE3-HXY
Артикул: C54582656
Part Number: SI4425BDY-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.137000 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.267200 ₽ |
| 50 шт. | 0.211600 ₽ |
| 150 шт. | 0.187800 ₽ |
| 500 шт. | 0.158100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.144900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.137000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.77nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 206pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 233pF |
Описание
30V 12A 1.6V 2.5W 10mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)