HXY MOSFET IPD023N03LF2SATMA1-HXY
Артикул: C54582650
Part Number: IPD023N03LF2SATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.263200 ₽
В наличии: 18 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.555700 ₽ |
| 10 шт. | 0.445200 ₽ |
| 30 шт. | 0.398100 ₽ |
| 100 шт. | 0.339600 ₽ |
| 500 шт. | 0.279500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.263200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 150A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 87W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 143nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.272nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 718pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.022nF |
Описание
30V 150A 2.4V 87W 1.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)