HXY MOSFET RQ3E100ATTB-HXY
Артикул: C54582645
Part Number: RQ3E100ATTB-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.266500 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.560500 ₽ |
| 10 шт. | 0.448400 ₽ |
| 30 шт. | 0.401300 ₽ |
| 100 шт. | 0.341200 ₽ |
| 500 шт. | 0.281100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.266500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 21.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 319pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 346pF |
Описание
30V 55A 1.5V 21.5W 8.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)