HXY MOSFET SI7153DN-T1-GE3-HXY
Артикул: C54582644
Part Number: SI7153DN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.163800 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.345500 ₽ |
| 50 шт. | 0.276800 ₽ |
| 150 шт. | 0.247300 ₽ |
| 500 шт. | 0.210500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.173600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.163800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 21.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 319pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 346pF |
Описание
30V 55A 1.5V 21.5W 8.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)