HXY MOSFET RQ3E120ATTB-HXY
Артикул: C54582641
Part Number: RQ3E120ATTB-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.150500 ₽
В наличии: 1960 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.158000 ₽ |
| 50 шт. | 0.154800 ₽ |
| 150 шт. | 0.152600 ₽ |
| 500 шт. | 0.150500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 31.2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 45nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 487pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 529pF |
Описание
30V 70A 1.6V 31.2W 6.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)