HXY MOSFET STP9N65M2-HXY
Артикул: C54582632
Part Number: STP9N65M2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.594700 ₽
В наличии: 23 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.127500 ₽ |
| 10 шт. | 0.950400 ₽ |
| 50 шт. | 0.851300 ₽ |
| 100 шт. | 0.666100 ₽ |
| 500 шт. | 0.617400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.594700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 130W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 800mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 44nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.57nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 10.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 136pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
130W 650V 10A 4V 800mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220H одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)