HXY MOSFET STFU13N65M2-HXY
Артикул: C54582630
Part Number: STFU13N65M2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.481200 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.894300 ₽ |
| 10 шт. | 0.725900 ₽ |
| 50 шт. | 0.641600 ₽ |
| 100 шт. | 0.557400 ₽ |
| 500 шт. | 0.507100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.481200 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 400mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 73nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.234nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 34pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 266pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
32W 650V 20A 3V 400mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)