HXY MOSFET IPA65R1K0CEXKSA1-HXY
Артикул: C54582626
Part Number: IPA65R1K0CEXKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.417600 ₽
В наличии: 23 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.836700 ₽ |
| 10 шт. | 0.687300 ₽ |
| 50 шт. | 0.612500 ₽ |
| 100 шт. | 0.485800 ₽ |
| 500 шт. | 0.440300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.417600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 860mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.642nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 128pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
40W 650V 10A 4V 860mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)