HXY MOSFET SIHA15N50E-GE3-HXY
Артикул: C54582622
Part Number: SIHA15N50E-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.953700 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.808200 ₽ |
| 10 шт. | 1.522300 ₽ |
| 50 шт. | 1.246100 ₽ |
| 100 шт. | 1.069000 ₽ |
| 500 шт. | 0.989400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.953700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 165W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 260mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 63nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.864nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 286pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
165W 500V 20A 4V 260mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)