HXY MOSFET FDP5N50-HXY
Артикул: C54582620
Part Number: FDP5N50-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.394800 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.791200 ₽ |
| 10 шт. | 0.648300 ₽ |
| 50 шт. | 0.578400 ₽ |
| 100 шт. | 0.458200 ₽ |
| 500 шт. | 0.415900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.394800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 139W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 10nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 639pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 41pF |
Описание
500V 4.5A 3V 139W 1.2Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)