HXY MOSFET IRF830APBF-BE3-HXY
Артикул: C54582616
Part Number: IRF830APBF-BE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.357500 ₽
В наличии: 14 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.716500 ₽ |
| 10 шт. | 0.588200 ₽ |
| 50 шт. | 0.523200 ₽ |
| 100 шт. | 0.459800 ₽ |
| 500 шт. | 0.377000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.357500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 139W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 10nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 639pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 41pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
139W 500V 4.5A 3V 1.2Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)