HXY MOSFET FDD10N20LZTM-HXY
Артикул: C54582607
Part Number: FDD10N20LZTM-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.348400 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.646500 ₽ |
| 10 шт. | 0.525000 ₽ |
| 30 шт. | 0.463400 ₽ |
| 100 шт. | 0.403500 ₽ |
| 500 шт. | 0.366200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.348400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 72W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 235mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 720pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 22pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 85pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
72W 200V 9A 4V 235mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)