HXY MOSFET SUD50N10-18P-GE3-HXY
Артикул: C54582606
Part Number: SUD50N10-18P-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.409400 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.822100 ₽ |
| 10 шт. | 0.674300 ₽ |
| 30 шт. | 0.601200 ₽ |
| 100 шт. | 0.528000 ₽ |
| 500 шт. | 0.432200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.409400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 67.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.208nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 144pF |
Описание
100V 60A 1.7V 67.5W 13.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)