HXY MOSFET NTD12N10G-HXY
Артикул: C54582600
Part Number: NTD12N10G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.198300 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.415900 ₽ |
| 10 шт. | 0.333100 ₽ |
| 30 шт. | 0.297400 ₽ |
| 100 шт. | 0.253500 ₽ |
| 500 шт. | 0.209600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.198300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 650pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
Описание
100V 10A 2.5V 40W 140mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)