HXY MOSFET PHD34NQ10T-HXY
Артикул: C54582599
Part Number: PHD34NQ10T-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.110400 ₽
В наличии: 25 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.232800 ₽ |
| 50 шт. | 0.186500 ₽ |
| 150 шт. | 0.166600 ₽ |
| 500 шт. | 0.141800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.117000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.110400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 42W |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 37mΩ@10V |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.964nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 74pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 90pF |
Описание
100V 30A 1.5V 42W 37mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)