HXY MOSFET STP35NF10-HXY
Артикул: C54582593
Part Number: STP35NF10-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.367800 ₽
В наличии: 23 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.683700 ₽ |
| 10 шт. | 0.554100 ₽ |
| 50 шт. | 0.489300 ₽ |
| 100 шт. | 0.426100 ₽ |
| 500 шт. | 0.387300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.367800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 33A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 130W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.28nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 26pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 300pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
130W 100V 33A 4V 30mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)