HXY MOSFET HUFA76609D3ST_F085-HXY
Артикул: C54582585
Part Number: HUFA76609D3ST_F085-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.204800 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.432200 ₽ |
| 10 шт. | 0.346100 ₽ |
| 30 шт. | 0.310300 ₽ |
| 100 шт. | 0.263200 ₽ |
| 500 шт. | 0.217700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.204800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 650pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
40W 100V 10A 2.5V 140mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)