HXY MOSFET NTD12N10T4G-HXY
Артикул: C54582583
Part Number: NTD12N10T4G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.156000 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.329100 ₽ |
| 50 шт. | 0.263600 ₽ |
| 150 шт. | 0.235500 ₽ |
| 500 шт. | 0.200500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.165400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.156000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 650pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
Описание
100V 10A 2.5V 40W 140mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)