HXY MOSFET AM20N10-115D-HXY
Артикул: C54582576
Part Number: AM20N10-115D-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.250200 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.528000 ₽ |
| 10 шт. | 0.422400 ₽ |
| 30 шт. | 0.377000 ₽ |
| 100 шт. | 0.321700 ₽ |
| 500 шт. | 0.264900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.250200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 17W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 95mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 4.3nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 196pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 21.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25.9pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
17W 100V 12A 1.8V 95mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)