HXY MOSFET IPB026N10NF2SATMA1-HXY
Артикул: C54582564
Part Number: IPB026N10NF2SATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.770900 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.184300 ₽ |
| 10 шт. | 2.739100 ₽ |
| 30 шт. | 2.461300 ₽ |
| 100 шт. | 1.956100 ₽ |
| 500 шт. | 1.826100 ₽ |
| 800 шт. | 1.770900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 260A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 379W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 150nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 9.03nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 40pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.505nF |
Описание
100V 260A 3V 379W 3.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)