HXY MOSFET FDD86102-HXY
Артикул: C54582561
Part Number: FDD86102-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.251900 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.531300 ₽ |
| 10 шт. | 0.425700 ₽ |
| 30 шт. | 0.380200 ₽ |
| 100 шт. | 0.323300 ₽ |
| 500 шт. | 0.268100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.251900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 27W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 15mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 822pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 23.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 310pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
27W 100V 40A 1.8V 15mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)