HXY MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1-HXY
Артикул: C54582559
Part Number: IPD35N10S3L26ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.359100 ₽
В наличии: 39 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.719700 ₽ |
| 10 шт. | 0.591400 ₽ |
| 30 шт. | 0.526400 ₽ |
| 100 шт. | 0.463100 ₽ |
| 500 шт. | 0.378600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.359100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 27W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 15mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 822pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 23.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 310pF |
Описание
100V 40A 1.8V 27W 15mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)