HXY MOSFET FDD86110-HXY
Артикул: C54582554
Part Number: FDD86110-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.474400 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.950400 ₽ |
| 10 шт. | 0.779900 ₽ |
| 30 шт. | 0.695400 ₽ |
| 100 шт. | 0.610900 ₽ |
| 500 шт. | 0.500400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.474400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31.3nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.368nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 451pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100W 100V 70A 1.8V 8.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)