HXY MOSFET NVD5805NT4G-HXY
Артикул: C54582549
Part Number: NVD5805NT4G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.299800 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.557400 ₽ |
| 10 шт. | 0.452100 ₽ |
| 30 шт. | 0.400200 ₽ |
| 100 шт. | 0.346800 ₽ |
| 500 шт. | 0.316000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.299800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.639nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 112pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 148pF |
Описание
40V 60A 1.5V 34.6W 7.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)