HXY MOSFET DI040P04D1-AQ-HXY
Артикул: C54582542
Part Number: DI040P04D1-AQ-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.492600 ₽
В наличии: 44 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.912200 ₽ |
| 10 шт. | 0.740400 ₽ |
| 30 шт. | 0.654600 ₽ |
| 100 шт. | 0.568700 ₽ |
| 500 шт. | 0.518500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.492600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40.3W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 35nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.525nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 172pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 190pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
40.3W 40V 40A 1.5V 13.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)