HXY MOSFET IPD50P04P4L11ATMA2-HXY
Артикул: C54582536
Part Number: IPD50P04P4L11ATMA2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.254100 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.535900 ₽ |
| 10 шт. | 0.429400 ₽ |
| 30 шт. | 0.383500 ₽ |
| 100 шт. | 0.326200 ₽ |
| 500 шт. | 0.270500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.254100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 81W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 110nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.295nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 385pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 430pF |
Описание
40V 80A 1.6V 81W 6.4mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)