HXY MOSFET IPD250N06N3GBTMA1-HXY
Артикул: C54582522
Part Number: IPD250N06N3GBTMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.141200 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.297800 ₽ |
| 50 шт. | 0.238500 ₽ |
| 150 шт. | 0.213100 ₽ |
| 500 шт. | 0.181400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.149700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.141200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.6nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.378nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 64pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 86pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
34.7W 60V 30A 2.5V 22mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)