HXY MOSFET IPD230N06NGBTMA1-HXY
Артикул: C54582518
Part Number: IPD230N06NGBTMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.162200 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.342000 ₽ |
| 50 шт. | 0.274000 ₽ |
| 150 шт. | 0.244800 ₽ |
| 500 шт. | 0.208400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.171900 ₽ |
| 5000 шт. | 0.162200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 87.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 36nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.498nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 80pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 185pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
87.7W 60V 50A 1.5V 13mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)